SI7501DN

Complementary 30-V (D-S) MOSFET The SI7501DN is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 40 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
  - 5.5 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (min), 2.5 V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100 nC (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **N-Channel Power MOSFET:** Designed for high-current, low-voltage applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5 V).  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and battery protection circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI7501DN.

Complementary 30-V (D-S) MOSFET