N-Channel 200-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI7462DP  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -10V:** 8.5mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 12mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Optimized for high-performance power management applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  
- PowerPAK® SO-8 package offers enhanced thermal performance.  

(Source: VISHAY datasheet for SI7462DP)

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET The SI7462DP is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (VIS)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3 A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.042 Ω @ V_GS = -4.5 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI7462DP is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-speed switching  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion  

This information is based solely on the provided knowledge base.

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET