N-Channel 60-V (D-S) MOSFET The part **SI7414DN** is manufactured by **Vishay**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7414DN  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 40 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240 A  
- **RDS(on) (Max):** 1.8 mΩ @ VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 125 W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
### **Descriptions:**
- The **SI7414DN** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications.  
- It features **low on-resistance (RDS(on))** and **high current handling capability**, making it suitable for switching applications.  
- The **TrenchFET® Gen IV technology** enhances performance with reduced conduction and switching losses.  
### **Features:**
- **Low RDS(on)** for improved efficiency.  
- **High current capability** (60 A continuous, 240 A pulsed).  
- **Optimized for power switching** in DC-DC converters, motor control, and battery management.  
- **PowerPAK® SO-8 package** for enhanced thermal performance.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).  
This information is based on Vishay's official datasheet for the SI7414DN. For detailed performance curves and application notes, refer to the manufacturer's documentation.