N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI7392DP  

**Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** -30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** -19A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 50mΩ @ -10A, -10V  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **Power Dissipation (Pd):** 40W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** TO-252-3 (DPAK)  

**Descriptions and Features:**  
- High-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Low on-resistance (Rds(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for switching and amplification in various circuits.  
- Robust construction for reliable operation in industrial and automotive environments.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the official datasheet for detailed and updated specifications.)

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET The part **SI7392DP** is manufactured by **SILICONIX**. Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** -30V  
- **Current Rating (I_D):** -5.5A  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.085Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for low-voltage, high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for battery management, DC-DC converters, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact parameters, refer to the official **SILICONIX datasheet**.

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET