SI7108DN

N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET Here are the factual details about the SI7108DN manufacturer VISHAY specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
VISHAY  

### **Part Number:**  
SI7108DN  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-263 (D²PAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Yes  

### **Description:**  
The SI7108DN is an N-Channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable design  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies  

This information is based solely on the available knowledge base for the SI7108DN from VISHAY.

N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET