Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The part **SI6969DQ** is manufactured by **Vishay**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI6969DQ  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5 A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10 V:** 14 mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5 V:** 19 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**
The **SI6969DQ** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It utilizes Vishay's **TrenchFET® Gen III** technology, providing low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Optimized for High-Speed Switching:** Suitable for DC-DC converters and power management.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Space-saving solution for compact designs.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Improves thermal performance and power handling.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards for reliability.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI6969DQ.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET