30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7319 is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
1. **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
   - N-Channel: 20V  
   - P-Channel: -20V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):**  
   - N-Channel: 5.3A  
   - P-Channel: -4.3A  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):**  
   - N-Channel: 20A  
   - P-Channel: -16A  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
5. **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):**  
   - N-Channel: 0.042Ω (at V_GS = 10V)  
   - P-Channel: 0.065Ω (at V_GS = -10V)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
   - N-Channel: 1V (min), 2V (max)  
   - P-Channel: -1V (min), -2V (max)  
8. **Input Capacitance (C_iss):**  
   - N-Channel: 370pF  
   - P-Channel: 520pF  
9. **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRF7319 is a dual MOSFET in a SOIC-8 package, combining one N-channel and one P-channel MOSFET.  
- Designed for high-efficiency power switching applications, including synchronous rectification and DC-DC converters.  
- Optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Dual MOSFET Configuration:** Integrated N and P-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF7319.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7319 is a dual N-channel and P-channel MOSFET from International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Dual MOSFET Configuration:**  
  - **N-Channel MOSFET:**  
    - Drain-Source Voltage (V_DS): 55V  
    - Continuous Drain Current (I_D): 5.3A  
    - On-Resistance (R_DS(on)): 0.06Ω (max) @ V_GS = 10V  
    - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  
  - **P-Channel MOSFET:**  
    - Drain-Source Voltage (V_DS): -55V  
    - Continuous Drain Current (I_D): -4.3A  
    - On-Resistance (R_DS(on)): 0.12Ω (max) @ V_GS = -10V  
    - Gate-Source Voltage (V_GS): ±20V  

- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions & Features:**
- **Dual MOSFET Design:** Combines an N-channel and P-channel MOSFET in a single package for complementary switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power management circuits.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V gate drive signals.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF7319.

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF7319 is a dual N-channel and P-channel HEXFET power MOSFET from International Rectifier (IR).  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Configuration:** Dual N-Channel and P-Channel  
- **Voltage Ratings:**  
  - **V_DSS (N-Channel):** 55V  
  - **V_DSS (P-Channel):** -55V  
- **Current Ratings:**  
  - **I_D (N-Channel):** 5.5A  
  - **I_D (P-Channel):** -4.4A  
- **R_DS(on) (Max @ V_GS = 10V):**  
  - **N-Channel:** 0.035Ω  
  - **P-Channel:** 0.065Ω  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):**  
  - **N-Channel:** 2V (min), 4V (max)  
  - **P-Channel:** -2V (min), -4V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and power management circuits.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)

30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package