Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection The SI6968BEDQ is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI6968BEDQ  

### **Specifications:**  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 3.8 mΩ at V_GS = 10 V  
  - 5.0 mΩ at V_GS = 4.5 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI6968BEDQ is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power conversion  
- Robust thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

For detailed datasheet information, refer to Vishay’s official documentation.

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection