**Part Number:** SI6956DQ  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 50A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI6956DQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  

**Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for power efficiency  
- RoHS compliant  

(Note: Specifications may vary; always refer to the latest datasheet for accurate details.)

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 7.5A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 28mΩ at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 13nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package for space-saving designs.  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))** for efficient power handling.  
- **TrenchFET® Gen III technology** for improved switching performance.  
- **Optimized for synchronous buck converters** and other power management applications.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to Vishay's official documentation.