P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI5403DC-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SI5403DC-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **R_DS(ON) (Max):** 5.5mΩ @ 10V, 7.5mΩ @ 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact and thermally efficient for space-constrained designs.  
- **Applications:** Used in power supplies, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to VISHAY's official documentation.

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET