Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4967DY-T1 is a MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Part Number:** SI4967DY-T1  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Package:** SO-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A per channel  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual P-Channel MOSFET:** Integrates two P-Channel MOSFETs in a single SO-8 package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal power loss in switching applications.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for power management and load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **Applications:** Used in power supplies, battery management, motor control, and DC-DC converters.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET