**Part Number:** SI4946EY-T1  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A per channel  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 28mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 12nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 700pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- High-efficiency dual N-Channel MOSFET in a compact SO-8 package.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and other power management applications.  
- TrenchFET® Gen III technology ensures high performance and reliability.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Suitable for high-frequency switching applications.  

(Note: Always verify datasheet details for the latest specifications.)

**Part Number:** SI4946EY-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per MOSFET)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 18mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 22mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power management applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with reduced gate charge and low RDS(on).  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Power supplies, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

(Note: Always verify with the latest datasheet for updated specifications.)

**Part Number:** SI4946EY-T1  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A (each)  
- **R_DS(ON) (Max):** 28mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency.  
- Optimized for synchronous buck converters and power management.  
- Fast switching performance.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21.  
- Suitable for DC-DC conversion and load switching applications.  

(Source: Vishay Siliconix datasheet for SI4946EY-T1)