Dual N-Channel 60-V (D-S)/ 175C MOSFET **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay Intertechnology)  
**Part Number:** SI4946EY-T1  
### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per MOSFET)  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 18mΩ (max) at VGS = 10V  
  - 22mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 12nC (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power management applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with reduced gate charge and low RDS(on).  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Power supplies, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
(Note: Always verify with the latest datasheet for updated specifications.)