Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI4922DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per channel)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4922DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low threshold voltage  
- High current handling capability  
- Logic-level gate drive  
- Low gate charge  
- Lead-free and RoHS compliant

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4922DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Siliconix (a subsidiary of Vishay). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5.3A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 13nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SOIC-8  

### **Description:**  
The SI4922DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Dual N-channel configuration in a compact SOIC-8 package  
- Suitable for high-frequency applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET