N-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI4890DY  

**Specifications:**  
- **Technology:** MOSFET  
- **Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 30V  
- **Continuous Drain Current (Id):** 12A  
- **Rds(on) (Max) @ Vgs, Id:** 0.025Ω @ 10V, 6A  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **Power Dissipation (Pd):** 40W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Low on-resistance (Rds(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed suitable for high-efficiency DC-DC converters and motor control.  
- Robust thermal performance with a wide operating temperature range.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Verify datasheet for exact parameters as specifications may vary.)

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4890DY is a MOSFET manufactured by Vishay Siliconix.  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **R_DS(on)GS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (D2PAK variant available)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved performance in switching applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay Siliconix documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The part **SI4890DY** is manufactured by **Siliconix (Vishay)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package for space-saving designs.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **TrenchFET® Technology** for improved switching performance.  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V logic).  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The part **SI4890DY** is manufactured by **SILICONIX** (a subsidiary of Vishay). Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A per channel  
- **R_DS(on) (Max):** 0.022Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per channel  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI4890DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high performance and reliability.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Ideal for DC-DC converters.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets, refer to Vishay/SILICONIX documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The part **SI4890DY** is manufactured by **Siliconix**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Siliconix  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.025Ω (typical)  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in demanding conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V logic signals.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based solely on the available knowledge base for **SI4890DY** by Siliconix.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET