SI4890DY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The part **SI4890DY** is manufactured by **SILICONIX** (a subsidiary of Vishay). Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A per channel  
- **R_DS(on) (Max):** 0.022Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per channel  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The SI4890DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high performance and reliability.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Ideal for DC-DC converters.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets, refer to Vishay/SILICONIX documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET