TrenchMOS(tm) logic level FET The SI4884 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.5 A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -18 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Description:**  
The SI4884 is a P-channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring high efficiency and fast switching. It is suitable for power management, load switching, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free options available  

This information is based solely on Vishay's provided specifications and features for the SI4884 MOSFET.

TrenchMOS(tm) logic level FET

TrenchMOS(tm) logic level FET The part SI4884 is manufactured by Vishay Siliconix.  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 20V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A per channel  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W per channel  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for synchronous buck converters and load switching  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in SO-8 package  

For detailed datasheet information, refer to Vishay Siliconix's official documentation.

TrenchMOS(tm) logic level FET

TrenchMOS(tm) logic level FET Here are the factual details about part SI4884 from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
### **Part Number:** SI4884  

### **Description:**  
The SI4884 is a **dual N-channel MOSFET** designed for power management applications. It is commonly used in load switching, DC-DC converters, and battery-powered systems.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (per MOSFET)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.022Ω (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SOIC-8 (Dual MOSFET in a single package)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(ON))** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 3.3V or 5V logic)  
- **Low Gate Charge (Q_G)** for reduced switching losses  
- **ESD Protection** for improved reliability  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need any additional details.

TrenchMOS(tm) logic level FET