SI4874DY

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET The part **SI4874DY** is manufactured by **SILICONIX** (now part of Vishay). Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Dual)  

### **Descriptions:**  
- **Function:** High-performance dual N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- **Application:** Used in DC-DC converters, motor control, power switching, and battery management systems.  
- **Manufacturer:** Originally by **SILICONIX**, now part of **Vishay**.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching.  
- **TrenchFET® Technology:** Provides high power density and thermal performance.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Space-saving SO-8 package for compact designs.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves reliability in rugged conditions.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to Vishay's official specifications.

Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET