SI4832DY

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4832DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.045Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**
- The SI4832DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  
- The device features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(ON)):** Enhances power efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 6.3A per channel.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for compact circuit designs.  
- **ESD Protection:** Improves reliability in harsh environments.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4832DY. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode