Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4830DY is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual details about the part:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.016Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SI4830DY is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on Vishay Siliconix's datasheet for the SI4830DY.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4830DY is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -8.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The SI4830DY is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power switching, DC-DC conversion, and motor control.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved thermal performance  
- RoHS compliant  

This information is strictly factual and derived from Ic-phoenix technical data files.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4830DY is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 10mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-252 (DPAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for power management applications  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Battery management systems  
- Load switching  

This information is sourced from Vishay Siliconix's official documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode