**Part Number:** SI4818DY-T1  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 20V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 28mΩ (max) at VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.6V (min) to 1.2V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK® SO-8)  

**Descriptions:**  
The SI4818DY-T1 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching and power distribution in portable electronics.  

**Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for low-voltage drive applications (4.5V gate drive)  
- Fast switching speed  
- Compact SO-8 package for space-saving designs  
- Pb-free and RoHS-compliant  

(Source: Vishay datasheet for SI4818DY-T1)