SI4808DY

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4808DY is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4808DY  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **R_DS(on) (Max):** 9.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (D²PAK)  

### **Descriptions:**
The SI4808DY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, which provides low on-resistance and high efficiency in switching applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 12A continuous drain current.  
- **Thermally Enhanced Package:** SO-8 (D²PAK) for improved heat dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the SI4808DY.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET