Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4808DY is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4808DY  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **R_DS(on) (Max):** 9.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (D²PAK)  

### **Descriptions:**
The SI4808DY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, which provides low on-resistance and high efficiency in switching applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 12A continuous drain current.  
- **Thermally Enhanced Package:** SO-8 (D²PAK) for improved heat dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet for the SI4808DY.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4808DY is a Power MOSFET manufactured by Siliconix (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Part Number:** SI4808DY  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SO-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced TrenchFET® Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V gate drive signals.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the SI4808DY.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** SILICON  

**Part Number:** SI4808DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 8.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Note: Verify datasheet for exact values as specifications may vary.)

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET