SI4505DY

N- and P-Channel MOSFET The SI4505DY is a P-channel MOSFET manufactured by Siliconix (a subsidiary of Vishay). Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.045Ω (max) at V_GS = -10V  
  - 0.060Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Technology:** TrenchFET® (Siliconix proprietary technology for low R_DS(on))  
- **Application:** Designed for power management in portable electronics, battery protection, load switching, and DC-DC conversion.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (as low as 4.5V).  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the SI4505DY.

N- and P-Channel MOSFET