80V N-Channel PowerTrench MOSFET **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay)  
**Part Number:** SI4480DY  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 9.5mΩ (VGS = 10V)  
  - 12mΩ (VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** SO-8 (D2PAK variant available)  
### **Descriptions and Features:**  
- **High Efficiency:** Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Design:** TrenchFET technology ensures high performance and reliability.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **Avalanche Rated:** Capable of handling inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This MOSFET is designed for high-performance power applications with low voltage requirements.