Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4210DY is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4210DY  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 10ns  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4210DY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, which provides low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speeds for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.