**Part Number:** SI4124DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel and P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Current Rating (ID):**  
  - N-Channel: 4.3A  
  - P-Channel: -3.7A  
- **On-Resistance (RDS(ON)):**  
  - N-Channel: 50mΩ (max) at VGS = 10V  
  - P-Channel: 80mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):**  
  - N-Channel: 1V (min), 2.5V (max)  
  - P-Channel: -1V (min), -2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI4124DY is a dual N-Channel and P-Channel MOSFET in a single SO-8 package, designed for high-efficiency power management applications. It utilizes Vishay's TrenchFET Gen III technology for low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- Dual N-Channel and P-Channel configuration  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Suitable for synchronous buck converters and power management circuits