**Part Number:** SI4104DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on VISHAY's datasheet for the SI4104DY MOSFET.