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SI3590DV from VISHAY

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31.250ms

SI3590DV

Manufacturer: VISHAY

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3590DV VISHAY 10000 In Stock

Description and Introduction

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3590DV is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** 5.3A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The SI3590DV is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is suitable for use in DC-DC converters, motor control, and other power management circuits. The device features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Low Threshold Voltage (VGS(th))** for compatibility with low-voltage drive circuits  
- **SOIC-8 Package** for space-saving PCB designs  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SI3590DV VIS 5000 In Stock

Description and Introduction

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3590DV is a MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **VIS (Vishay Siliconix)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 9.5A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (RDS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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