SI3590DV

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3590DV is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 5.3A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The SI3590DV is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is suitable for use in DC-DC converters, motor control, and other power management circuits. The device features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th))** for compatibility with low-voltage drive circuits  
- **SOIC-8 Package** for space-saving PCB designs  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and specifications.

N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET