### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
- **Package:** SOIC-8  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage (Vds):** -30V  
- **Current (Id):** -5.7A  
- **Rds(on) (Max):** 0.045Ω @ 10V, 0.055Ω @ 4.5V  
- **Gate Charge (Qg):** 12nC  
- **Power Dissipation (Pd):** 2.5W  
- **Operating Temperature:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **P-Channel Enhancement Mode MOSFET**  
- **Low On-Resistance (Rds(on))** for efficient power management  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
- **Suitable for load switching, power management, and battery protection applications**  

This information is based on Vishay Siliconix's datasheet for the SI3493BDV.

**Part Number:** SI3493BDV  

**Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI3493BDV is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

**Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-current applications  
- Fast switching speed  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

(Source: VISHAY datasheet)