N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI3460DV is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3460DV  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 720pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 230pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 55pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SI3460DV is a P-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power supplies, and DC-DC converters.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed application information, refer to the official Vishay datasheet.