### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Category:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Type:** P-Channel  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** -30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** -5.3A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 85mOhm @ 5.3A, 10V  
- **Vgs(th) (Max) @ Id:** -2V @ 250µA  
- **Gate Charge (Qg) @ Vgs:** 12nC @ 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 520pF @ 15V  
- **Power Dissipation (Max):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package / Case:** TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  

### **Descriptions and Features:**  
- **P-Channel Power MOSFET** designed for high-efficiency power management applications.  
- **Low On-Resistance (Rds(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, load switching, and battery protection circuits.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the SI3457DV_NL. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.