SI3457BDV-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI3457BDV-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI3457BDV-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2.5V  
- **Package:** PowerPAK® SC-70-6  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Suitable for load switching, power distribution, and battery management.  
- Features low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in switching circuits.  
- **Small Footprint:** PowerPAK® SC-70-6 package saves board space.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed application notes or additional technical data, refer to Vishay’s official datasheet.

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET