SI2333CDS-T1-E3

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET The SI2333CDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2333CDS-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 40 mΩ at V_GS = -10 V  
  - 50 mΩ at V_GS = -4.5 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions:**  
- The SI2333CDS-T1-E3 is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC conversion in portable electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-speed switching applications.  
- Small SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

P-Channel 12-V (D-S) MOSFET