P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI2323DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI2323DS-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon, TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency in switching applications.  
- **TrenchFET® Technology:** Provides high performance in a compact package.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET