P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The part **SI1917EDH** is manufactured by **Vishay**. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1917EDH  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 28mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SC-70 (SOT-323)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Enhances performance in compact designs.  
- **Small Footprint:** PowerPAK® SC-70 package saves board space.  
- **Applications:** Used in power management, load switching, and DC-DC conversion.  

For detailed datasheets, refer to Vishay's official documentation.

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET