Ultra-Fast IGBT The **SGP23N60UFD** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 23A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** SuperFET® II (Ultra-Fast Diode)  

### **Descriptions:**
- The **SGP23N60UFD** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for high-power applications.  
- The **SuperFET® II technology** enhances efficiency and reduces conduction losses.  

### **Features:**
- **Ultra-Fast Body Diode** for reduced switching losses.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in **switching power supplies, motor drives, and inverters**.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor, and the product may now be listed under ON Semiconductor’s portfolio.)

Ultra-Fast IGBT