### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 800V  
- **Drain Current (I_D):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 12Ω (typical)  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions:**  
The SW1N80A is designed for high-voltage switching applications, commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits. It features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (800V)  
- Low gate charge for efficient switching  
- Isolated TO-220F package for improved thermal performance  
- Suitable for high-voltage power switching applications  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Sanken Electric.