800V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBE20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRFBE20 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads)  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance** – Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated** – Provides robustness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive** – Can be driven with standard logic-level signals.  
- **High Voltage Capability** – Supports up to 200V drain-source voltage.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control circuits  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-frequency power switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.