### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 650V  
- **Drain Current (ID):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.45Ω (max)  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- High-voltage, high-current MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for inverters, power supplies, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Fast switching speed.  
- High ruggedness and reliability.  
- Avalanche energy specified for robustness in inductive load applications.  

(Source: SAMUIN datasheet for SW12N65)