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SUM110N10-09 from VISHAY

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SUM110N10-09

Manufacturer: VISHAY

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUM110N10-09,SUM110N1009 VISHAY 300 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET The part **SUM110N10-09** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SUM110N10-09  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 110A  
- **RDS(on) (Max) @ VGS = 10V:** 9mΩ  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The **SUM110N10-09** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance (RDS(on)) and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 110A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Package:** TO-263 (D²PAK) for efficient thermal dissipation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  

This information is strictly based on the available data for the **SUM110N10-09** from Vishay.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
SUM110N10-09,SUM110N1009 SILICON 15 In Stock

Description and Introduction

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET The SUM110N10-09 is a power MOSFET manufactured by SILICON. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICON  
- **Part Number:** SUM110N10-09  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** Higher than continuous rating (exact value not specified)  
- **Power Dissipation (PD):** High power handling capability (exact value not specified)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** Low (exact value not specified)  
- **Package Type:** TO-220 or similar power package (exact package not specified)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  

For exact values such as RDS(on) or thermal characteristics, refer to the official datasheet from SILICON.

Application Scenarios & Design Considerations

N-Channel 100-V (D-S) 200C MOSFET

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