### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SUM110N06-3M4L-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Package:** TO-263-4L (D²PAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency.  
- **Optimized for high current applications.**  
- **Fast switching performance.**  
- **Avalanche energy rated.**  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This MOSFET is commonly used in **power management, motor control, and DC-DC converter applications.**