**Part Number:** SUB85N03-04P  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 340A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 3V  

**Descriptions:**  
The SUB85N03-04P is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in automotive, industrial, and consumer electronics.  

**Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current capability  
- Fast switching speed  
- Low gate charge  
- Enhanced thermal performance  
- RoHS compliant  

(Note: Ensure to verify datasheet details for precise application suitability.)