N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in a TO-247 package The **STW9NK95Z** is a power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 950V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The **STW9NK95Z** is an **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage applications. It is optimized for **switching power supplies, motor control, and industrial applications** requiring high efficiency and reliability.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (950V)**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **100% avalanche tested**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

The device is packaged in a **TO-247** through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

(Source: STMicroelectronics datasheet)

N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in a TO-247 package