for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The **SPW11N80C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 800V  
- **Current Rating (I_D):** 11A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190W  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPW11N80C3** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other industrial applications requiring robust performance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Low gate charge and low R_DS(on) for improved efficiency.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 800V breakdown voltage.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Compatible with standard logic-level drive circuits.  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance and mechanical strength.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **SPW11N80C3** MOSFET.