N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package The STU7NM60N is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST进口). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST进口)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The STU7NM60N is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Ruggedness**  
- **Low Gate Charge**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package The STU7NM60N is an N-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** MDmesh™ II  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 45W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**
- The STU7NM60N is a high-voltage N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It utilizes ST's MDmesh™ II technology, which provides low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage applications.  

### **Features:**
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency.  
- **High dv/dt capability** for robust performance in switching circuits.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **100% avalanche tested** to ensure durability in harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm MDmesh(TM) II Power MOSFET in IPAK package