for lowest Conduction Losses The **SPP07N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.75Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for applications requiring up to 600V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power switching with reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced drive requirements and improved efficiency.  
- **Applications:** Suitable for power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

for lowest Conduction Losses

for lowest Conduction Losses The **SPP07N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Intel**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Intel  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 7A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.9Ω (typical)  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Features a low gate charge for efficient switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-220 package aids in heat dissipation.  

This MOSFET is commonly used in power electronics where high-voltage and medium-current handling are required.  

(Note: If more detailed datasheet parameters are needed, refer to Intel’s official documentation.)

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