### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (typical)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Fast switching performance.  

For exact datasheet details, refer to STMicroelectronics' official documentation.