OLD PRODUCT: NOT SUITABLE FOR NEW DESIGN-IN The STU13NB60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STU13NB60 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge for Fast Switching**  
- **Low R_DS(on) for Reduced Conduction Losses**  
- **Avalanche Energy Specified for Reliability**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Efficient Thermal Management**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to STMicroelectronics' official documentation.

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