### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 450 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1 A  
- **R_DS(on) (Max):** 12 Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20 W  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage switching applications**  
- Low gate charge for **fast switching**  
- **Low input capacitance**  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- Suitable for **SMPS, lighting, and industrial applications**  

For exact datasheet details, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.