N-CHANNEL 600V The part **STQ1HNK60R-AP** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Technology:** MDmesh™ AP (Advanced Process)  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 1A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 60Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-voltage switching applications** with **low on-resistance**.  
- Uses **ST's MDmesh™ AP technology**, optimized for **efficiency and reliability** in power conversion.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications**.  

### **Features:**  
- **Low gate charge (Q_G)** for reduced switching losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Low thermal resistance** due to the DPAK package.  

For exact datasheet details, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.

N-CHANNEL 600V