**Part Number:** STD3NK60ZT4  

**Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions and Features:**  
- High-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Data sourced from STMicroelectronics official documentation.)