N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET The **STP9NB50FP** is an N-channel Power MOSFET manufactured by **STMicroelectronics**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220FP (Insulated)**  

### **Features:**  
- High voltage capability (500V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Insulated package for better thermal performance  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- Lighting applications  
- High-voltage DC-DC converters  

This MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications requiring high voltage and current handling.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWERMESH MOSFET